我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現(xiàn)新突破,據(jù)悉,中國電子科技集團公司第二研究所突破了大直徑SiC生長的溫場設計,實現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產;還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術,實現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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