三星宣布正式量產(chǎn)第9代V-NAND閃存,首批生產(chǎn)的是1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,相比上一代產(chǎn)品,單位面積存儲(chǔ)密度提高了約50%,同時(shí)功耗降低了10%。三星還引入了新的技術(shù),避免單元干擾并延長(zhǎng)單元壽命,同時(shí)取消備用通道孔大幅減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。三星在第9代V-NAND閃存的生產(chǎn)中,在金屬化工藝過(guò)程中使用了鎢,另一種則使用了鉬(Mo)。目前行業(yè)內(nèi)使用鎢來(lái)降低層高已達(dá)到極限,換成鉬可將層高再降低30%至40%,而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用鉬,意味著NAND材料價(jià)值鏈將發(fā)生一些變化。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
| 名稱(chēng) | 最新價(jià) | 漲跌 |
|---|---|---|
| 高線(xiàn) | 3150 | +20 |
| 低合金板卷 | 3540 | - |
| 低合金厚板 | 4130 | - |
| 鍍鋅管 | 4440 | - |
| 重軌 | 4500 | - |
| 鍍鋁鋅彩涂板卷 | 5010 | - |
| 管坯 | 33890 | +600 |
| 冷軋取向硅鋼 | 9460 | - |
| Cr系合結(jié)鋼 | 3700 | - |
| 鉬鐵 | 227600 | 1,500 |
| 低合金方坯 | 3030 | +10 |
| 粉礦 | 690 | +20 |
| 中硫1/3焦煤 | 1060 | - |
| 鎳 | 143960 | 100 |
| 切碎原五 | 2060 | - |
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