三星HBM芯片據(jù)悉尚未通過英偉達(dá)測試,涉及發(fā)熱和功耗問題,5月24日訊,知情人士稱,由于發(fā)熱和功耗問題,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存芯片尚未通過英偉達(dá)的測試,無法用于后者的人工智能處理器。據(jù)悉,這些問題涉及三星電子的HBM和HBM3E產(chǎn)品。三星電子在一份聲明中表示,HBM是一種定制的內(nèi)存產(chǎn)品,需要根據(jù)客戶的需求進(jìn)行優(yōu)化,“我們正通過與客戶的密切合作優(yōu)化產(chǎn)品”。該公司拒絕就具體客戶發(fā)表評論。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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